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下列敘述中正確的是：

A．二氧化硅和干冰晶體熔化時(shí)所克服的作用力類型相同

B．含有離子的晶體一定是離子晶體

C．H₂O是一種非常穩(wěn)定的化合物，這是由于水分子中存在氫鍵

D．分子晶體中不一定含有共價(jià)鍵，離子晶體中一定含有離子鍵

干冰水分子晶體，克服的是分子間作用力，二氧化硅是原子晶體，克服的是極性鍵，A不正確；B不正確，例如金屬晶體中含有陽離子；氫鍵不是化學(xué)鍵，不能影響水的穩(wěn)定性，一般影響的是物理性質(zhì)，C不正確；稀有氣體分子中不存在化學(xué)鍵，D正確，答案選D。

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列各組物質(zhì)熔化所克服的微粒間的作用力屬同種類型的是(　　)

A．石英和生石灰的熔化	B．冰的熔化和氯化鈉的熔化
C．晶體硅和晶體硫的熔化	D．鈉和鐵的熔化

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是(　　)

A．在NaCl晶體中，距Na^＋最近的Cl^－形成正八面體

B．在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na^＋

C．在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs^＋

D．銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

測(cè)知氯化鈉晶體中相鄰的Na⁺離子與Cl^-離子的距離為a cm，該晶體密度為ρg/cm³，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為

A．0.585/4a³ρ

B．58.5/8a³ρ

C．58.5/2a³ρ

D．117/a³ρ

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)中一定含有離子的是（）

A．晶體氯

B．鋁粉

C．液態(tài)氯化氫

D．次氯酸鈣

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：實(shí)驗(yàn)題

（6分）隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，阿佛加德羅常數(shù)的測(cè)定手段越來越多，測(cè)定的精度也越來越高。現(xiàn)有一種簡(jiǎn)單可行的測(cè)定方法，具體步驟為：
①將NaCl固體細(xì)粒干燥后，準(zhǔn)確稱取m gNaCl固體細(xì)粒并轉(zhuǎn)移到定容儀器A中
②用滴定管向A儀器中加苯，不斷振蕩，繼續(xù)加苯到A儀器的刻度，計(jì)算出NaCl固體的體積V cm³。
（1）步驟①中儀器A最好使用（填序號(hào)）

A．量筒

B．燒杯

C．容量瓶

D．試管

（2）步驟②中是否用酸式滴定管還是用堿式滴定管，理由是

NaCl晶體結(jié)構(gòu)圖

。

（3）能否用水代替苯，理由是
。

（4）已知NaCl晶體中，靠得最近的Na⁺、Cl^—間的距離為a cm（如上圖），則用上述方法測(cè)得的阿佛加德常數(shù)N_A的表達(dá)式為。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

有下列離子晶體空間結(jié)構(gòu)示意圖：●為陽離子，○為陰離子。以M代表陽離子，N代表陰離子，化學(xué)式為MN₂的晶體結(jié)構(gòu)為（）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（11分）某合金由A、B、C、D 四種元素組成，這四種元素位于周期表中前四周期，A是主要成分元素，A的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子。B是第一主要的合金元素，B的含量不低于11%，否則不能生成致密氧化膜BO₃防止腐蝕，B與A同周期，且原子核外未成對(duì)電子數(shù)最多。C位于周期表中第4行、第10列，D的基態(tài)原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的2倍，未成對(duì)電子數(shù)與電子層數(shù)相等。
（1）A的原子結(jié)構(gòu)示意圖是。A的一種晶體的晶胞如圖甲，乙圖中●和○表示的是同種原子，即乙是8個(gè)甲無隙并置的結(jié)果，若按甲圖中虛線方向切乙，得到a~d圖中正確的是。

（2）寫出B原子的基態(tài)的外圍電子排布式_________________，與B同周期且基態(tài)原子最外層電子數(shù)與B相同的元素，可能位于周期表中的___區(qū)和 ___區(qū)。
（3）基態(tài)D原子的外圍電子排布圖是　　　　　　　　　　　　　。據(jù)報(bào)道，只含鎂、C和D三種元素的晶體竟然具有超導(dǎo)性。該晶體的結(jié)構(gòu)（如圖示）可看作由鎂原子和C原子在一起進(jìn)行面心立方密堆積，該晶體的化學(xué)式為。晶體中每個(gè)

原子周圍距離最近的

原子有個(gè)。

圖中：●表示D原子，

表示C原子，

表示鎂原子
（4）（已知

=1.414）C_XO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型，由于晶體缺陷，x值為0.88，晶胞邊長為4.28×10^－¹⁰m。晶胞中兩個(gè)C原子之間的最短距離為___________m（精確至0.01）。若晶體中的C分別為C²^﹢、C³^﹢，此晶體中C²^﹢與C³^﹢的最簡(jiǎn)整數(shù)比為_________。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（8分）、氮化硅是一種高溫陶瓷材料，它的硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。工業(yè)上普遍采用高純硅與純氮在1300℃反應(yīng)獲得氮化硅。
（1）根據(jù)性質(zhì)，推測(cè)氮化硅屬于________晶體。
（2）根據(jù)性質(zhì)，推測(cè)氮化硅陶瓷的用途是_________（填序號(hào)）。

A．制汽輪機(jī)葉片	B．制有色玻璃
C．制永久性模具	D．制造柴油機(jī)

（3）根據(jù)化合價(jià)規(guī)律，推測(cè)氮化硅的化學(xué)式為_________。
（4）氮化硅陶瓷抗腐蝕性強(qiáng)，除氫氟酸外，它不與其他無機(jī)酸反應(yīng)。試寫出該陶瓷被氫氟酸腐蝕的化學(xué)方程式_______________________________________。

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