Question

【題目】鎳與VA族元素形成的化合物是重要的半導體材料，應用最廣泛的是砷化鎵(GaAs)，回答下列問題：

(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為_____，基態(tài)As原子核外有_________個未成對電子。

(2)鎵失去電子的逐級電離能(單位：kJ·mol-1)的數(shù)值依次為577、1984.5、2961.8、6192由此可推知鎵的主要化合價為____和+3。砷的電負性比鎳____(填“大”或“小”)。

(3)比較下列鎵的鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因：________________________。

鎵的鹵化物	GaCl3	GaBr3	GaI3
熔點/℃	77.75	122.3	211.5
沸點/℃	201.2	279	346

GaF3的熔點超過1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸鎵的結構如圖所示，其中鎵原子的配位數(shù)為______，草酸根中碳原子的雜化方式為______________。

(5)砷化鎵熔點為1238℃，立方晶胞結構如圖所示，晶胞參數(shù)為a=565 pm。該晶體的類型為_________，晶體的密度為___________(設NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,列出算式即可)g·cm-3。

Answer 1

【答案】[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1 3 +1 大 GaCl3、GaBr3、GaI3的熔沸點依次身高，它們均為分子晶體，結構相似，相對分子質量依次增大，分子間作用力依次增強 GaF3為離子晶體 4 sp2 原子晶體 g/cm3

【解析】

(1)Ga的原子序數(shù)為31，其基態(tài)原子的電子式排布式為：[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1，As的原子序數(shù)為33，則As的基態(tài)原子的電子排布式為：[Ar]3d104s24p3，所以基態(tài)As原子核外有3個未成對電子，

故答案為：[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1，3；

(2)電離能是氣態(tài)原子失去電子所需要的能量，由鎵的前四級電離能可知，其主要化合價為+1，+3，由于As的最外層電子排布為4s24p3，是半滿穩(wěn)定狀態(tài)，而Ga的最外層電子排布為4s24p1特別是4p1易失電子，所以As的電負性比Ga大，

故答案為：+1，大；

(3)表中數(shù)據(jù)可知，鎵的鹵化物的熔點和沸點都不高，且按照氯、溴、碘依次升高，由于它們組成相同，結構相似，都是分子晶體，所以隨著相對分子質量的增大，分子間作用力增大，故熔沸點升高，GaF3的熔點超過1000℃，是由于F的電負性很大，形成的GaF3是離子晶體，

故答案為：GaCl3、GaBr3、GaI3的熔沸點依次身高，它們均為分子晶體，結構相似，相對分子質量依次增大，分子間作用力依次增強；GaF3為離子晶體；

(4)由二水合草酸鎵的結構圖可知，鎵原子的配位數(shù)為4，草酸根中碳原子與羧基中的碳原子的雜化方式相同，形成的都是平面結構，所以應該是sp2雜化；

故答案為：4，sp2；

(5)由于該晶體的熔點高，且砷和鎵都不是活潑元素，所以該晶體是原子晶體，其化學式為Ga4As4，該晶體的質量m=g，體積為V=（565×10-10）3cm3，則其密度為：g/cm3，

故答案為：原子晶體，g/cm3。