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制備單質(zhì)硅的主要化學(xué)反應(yīng)如下:
①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑  ②Si+2Cl2
 高溫 
.
 
SiCl4   ③SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
 Si+4HCl
下列對上述三個(gè)反應(yīng)的敘述中,錯(cuò)誤的是(  )
A、①③為置換反應(yīng)
B、①②③均為氧化還原反應(yīng)
C、三個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被氧化
D、①是工業(yè)上制粗硅的反應(yīng),②③是粗硅提純的反應(yīng)
分析:A、置換反應(yīng)是一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成另一種單質(zhì)和化合物的反應(yīng),依據(jù)概念和反應(yīng)分析判斷;
B、氧化還原反應(yīng)是反應(yīng)前后有元素化合價(jià)變化的反應(yīng);
C、氧化還原反應(yīng)中元素化合價(jià)升高失去電子被氧化;
D、根據(jù)發(fā)生的反應(yīng)分析.
解答:解:A、①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑;③SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl;反應(yīng)符合置換反應(yīng)的概念,故A正確;
B、①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑,反應(yīng)前后有元素化合價(jià)變化; ②Si+2Cl2
 高溫 
.
 
SiCl4 反應(yīng)前后有化合價(jià)變化; ③SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl,反應(yīng)前后有元素化合價(jià)變化;故B正確;
C、①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑反應(yīng)前后硅元素化合價(jià)降低被還原; ②Si+2Cl2
 高溫 
.
 
SiCl4 反應(yīng)前后硅元素化合價(jià)升高,被氧化; ③SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl,反應(yīng)前后硅元素化合價(jià)降低,被還原;故C錯(cuò)誤;
D、反應(yīng)①產(chǎn)物Si中含有雜質(zhì),是工業(yè)上制粗硅的反應(yīng),通過反應(yīng)②③可以提純硅,故D正確;
故選C.
點(diǎn)評:本題考查了氧化還原反應(yīng)的概念分析及特征應(yīng)用,硅及其化合物性質(zhì)的應(yīng)用,分析反應(yīng)中元素化合價(jià)的變化是解題關(guān)鍵,題目難度不大.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料.制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃.請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:
分餾
分餾

(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
高溫下,普通玻璃會(huì)軟化
高溫下,普通玻璃會(huì)軟化
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號(hào))是
bd
bd

a.碘水b.氯水c.NaOH溶液d.KSCN溶液e.Na2SO3溶液.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料.請寫出晶體硅的二種用途:
計(jì)算機(jī)芯片
計(jì)算機(jī)芯片
太陽能電池
太陽能電池
.制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
已知:
Ⅰ.SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請寫出其水解的化學(xué)方程式:
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑

Ⅱ.SiHCl3 在空氣中自燃.請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是
濃H2SO4
濃H2SO4
,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是
使SiHCl3氣化
使SiHCl3氣化

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡

④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

 晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2
③SiHCl3與過量的H2在1000~1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
(2)用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置已略去):

①裝置B中的試劑是______________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_______________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號(hào))是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆江西省南昌二中高三第一次考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

(10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請寫出晶體硅的二種用途:______、______
制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。
已知:Ⅰ.SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請寫出其水解的化學(xué)方程式:___________。
Ⅱ.SiHCl3在空氣中自燃。請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 
(2)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是    ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是______________,
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是               _  
裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為                  ___  
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度
以及                           _____________ 
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。

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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆重慶市高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:實(shí)驗(yàn)題

(18分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:

 ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl    SiHCl3+H2

③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

請回答下列問題:

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:            

(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

①裝置B中的試劑是        ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:         

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是       ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是     ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為               

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及    

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號(hào))是          

a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液     d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

 

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同步練習(xí)冊答案
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