Question

已知：元素A的原子外圍電子排布式為nSⁿnPⁿ⁺¹，元素B的+2價離子電子排布式為1S²2S²2P⁶3S²3P⁶，元素D的原子第二電子層上只有一個空軌道，元素E的原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍．G為短同期元素，且與E同族．所有氣態(tài)氫化物中X的氫化物最穩(wěn)定．
（1）E、G、X電負(fù)性由大到小的順序是（用元素符號表示）

 

A、E、X第一電離能由大到小的順序是（用元素符號表示）

 

（2）E、G、X形成的簡單離子半徑由大到小的順序是（用離子符號表示）

 

（3）比較下列物質(zhì)熔沸點高低（用化學(xué)式表示）BE和BG

 

；E和G分別形成的最簡單氫化

 

；D和同族、短同期元素Y分別形成的最簡單氫化物

 

．

Answer 1

分析：元素A的原子外圍電子排布式為nSⁿnPⁿ⁺¹，s能級容納2個電子，則n=2，故A原子外圍電子排布式為2S²2P³，則A為N元素；元素B的+2價離子電子排布式為1S²2S²2P⁶3S²3P⁶，則B元素質(zhì)子數(shù)為20，B為Ca元素；元素D的原子第二電子層上只有一個空軌道，則其核外電子排布為1S²2S²2P²，D為碳元素；元素E的原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍，則E原子有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，E為O元素．G為短同期元素，且與E同族，則G為S元素；所有氣態(tài)氫化物中X的氫化物最穩(wěn)定，則X為F元素，據(jù)此解答．

解答：解：元素A的原子外圍電子排布式為nSⁿnPⁿ⁺¹，s能級容納2個電子，則n=2，故A原子外圍電子排布式為2S²2P³，則A為N元素；元素B的+2價離子電子排布式為1S²2S²2P⁶3S²3P⁶，則B元素質(zhì)子數(shù)為20，B為Ca元素；元素D的原子第二電子層上只有一個空軌道，則其核外電子排布為1S²2S²2P²，D為碳元素；元素E的原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍，則E原子有2個電子層，最外層電子數(shù)為6，E為O元素．G為短同期元素，且與E同族，則G為S元素；所有氣態(tài)氫化物中X的氫化物最穩(wěn)定，則X為F元素，
（1）同周期自左而右電負(fù)性增大，同主族自上而下電負(fù)性減小，故電負(fù)性F＞O＞S，
同周期自左而右第一電離能呈增大趨勢，但N元素2p能級容納3個電子，處于半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能F＞N＞O，
故答案為：F＞O＞S；F＞N＞O；
（2）電子層越多離子半徑越大，電子層結(jié)構(gòu)相同核電荷數(shù)越大離子半徑越小，故離子半徑S^2-＞O^2-＞F^-，
故答案為：S^2-＞O^2-＞F^-；
（3）氧離子半徑小于硫離子半徑，故晶格能CaO＞CaS，故熔沸點CaO＞CaS；由于H₂O分子之間存在氫鍵，故熔沸點H₂O＞H₂S；CH₄與SiH₄都形成分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，故熔沸點CH₄＜SiH₄，
故答案為：CaO＞CaS；H₂O＞H₂S；CH₄＜SiH₄．

點評：本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用，涉及核外電子排布規(guī)律、電負(fù)性、電離能、半徑比較、晶體類型與性質(zhì)等，難度中等，注意全面、半滿穩(wěn)定狀態(tài)對電離能的影響．