Question

【題目】元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途，請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題：

（1）按原子序數(shù)遞增的順序（稀有氣體除外），以下說法正確的是________。

a.簡單離子的半徑先減小后增大，鹵素離子半徑最大

b.元素金屬性減弱，非金屬性增強

c.最高價氧化物對應的水化物堿性減弱，酸性增強

d.單質(zhì)的熔點逐漸降低

（2）原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)一半的元素名稱為____，還原性最弱的簡單陰離子是____。

（3）已知：

化合物	MgO	Al2O3	MgCl2	AlCl3
類型	離子化合物		離子化合物	共價化合物
熔點/℃	2800	2050	714	191

工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是________________________________，根據(jù)熔點推測Al2O3是___________化合物。

（4）晶體硅（熔點1410 ℃）是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（純）Si（純）

寫出SiCl4的電子式：_____________，在上述由SiCl4（g）制純硅的反應中，測得每生成0.56 kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：_____________________________________________。

（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，但可用P2O5干燥的是_________。

a．HI b．NH3 c．SO2 d．CO2

（6）KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1∶1。寫出該反應的化學方程式：_______________________________。

Answer 1

【答案】 bc 硅 Cl— MgO的熔點高，熔融時耗費更多能源，增加生產(chǎn)成本 離子 SiCl4（g）＋2H2（g）Si（s）＋4HCl（g） ΔH＝＋0.05a kJ·mol－1 a 4KClO3KCl＋3KClO4

【解析】試題分析：(1)根據(jù)同周期元素遞變規(guī)律判斷；（2）第三周期元素次外層電子數(shù)是8；元素氧化性越強，離子還原性越弱；（3）氧化鎂的熔點大于氯化鎂；共價化合物熔點低、離子化合物熔點高；(4)SiCl4所有原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；生成0.56 kg純硅需吸收a kJ熱量，則生成1mol純硅需吸收0.05a kJ熱量；（5）濃硫酸是氧化性、酸性干燥劑，不能干燥還原性氣體、不能干燥堿性氣體；P2O5是酸性、非氧化性干燥劑，不能干燥堿性氣體。（6）KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，無氧酸鹽是KCl，根據(jù)氧化還原反應規(guī)律，另一種鹽中氯元素化合價升高，另一種鹽是KClO4。

解析：(1) a.電子層數(shù)相同時，質(zhì)子數(shù)越多半徑越小，電子層數(shù)越多半徑越大，第三周期元素的簡單離子的半徑從左到右先減小后增大再減小，故a錯誤；

b.第三周期元素元素從左到右金屬性減弱，非金屬性增強，故b正確；

c. 第三周期元素元素從左到右最高價氧化物對應的水化物堿性減弱，酸性增強，故c正確；d.鈉、鎂、鋁的熔點逐漸升高，故d錯誤；（2）第三周期元素次外層電子數(shù)是8，原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)一半的元素，最外層電子數(shù)為4，是硅元素；元素氧化性越強，離子還原性越弱，還原性最弱的簡單陰離子是Cl—；（3）氧化鎂的熔點大于氯化鎂，熔融時耗費更多能源，增加生產(chǎn)成本，所以工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO；共價化合物熔點低、離子化合物熔點高，根據(jù)熔點推測Al2O3是離子化合物；(4)SiCl4所有原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，SiCl4的電子式是；生成0.56 kg純硅需吸收a kJ熱量，則生成1mol純硅需吸收0.05a kJ熱量，所以該反應的熱化學方程式是SiCl4（g）＋2H2（g）Si（s）＋4HCl（g） ΔH＝＋0.05a kJ·mol－1；

（5）濃硫酸是酸性、氧化性干燥劑，不能干燥還原性氣體、不能干燥堿性氣體，所以不能用濃硫酸干燥的氣體是HI、NH3；P2O5是酸性、非氧化性干燥劑，不能干燥堿性氣體，不能用P2O5干燥的氣體是NH3，所以不能用濃硫酸干燥，但可用P2O5干燥的是HI；（6）根據(jù)以上分析，若不加催化劑，KClO3分解只生成KCl、KClO4，方程式是4KClO3KCl＋3KClO4。