Question

如圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體．下列判斷不正確的是（　　）

A．e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵

B．d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p²

C．b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵

D．單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1：1：1形成的分子中含2個(gè)σ鍵，2個(gè)π鍵

Answer 1

分析：Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)中，Na、Cu為金屬晶體，均是熱和電的良導(dǎo)體，C、Si的單質(zhì)為原子晶體，且C單質(zhì)的熔沸點(diǎn)大于Si原子晶體的熔沸點(diǎn)，H、N對(duì)應(yīng)的單質(zhì)為分子晶體，其中氫氣的熔點(diǎn)最低，由圖熔點(diǎn)的高低順序可知a為H，b為N，c為Na，d為Cu，e為Si，f為C，結(jié)合對(duì)應(yīng)單質(zhì)、化合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)以及元素周期律的遞變規(guī)律解答該題．

解答：解：Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)中，Na、Cu為金屬晶體，均是熱和電的良導(dǎo)體，C、Si的單質(zhì)為原子晶體，且C單質(zhì)的熔沸點(diǎn)大于Si原子晶體的熔沸點(diǎn)，H、N對(duì)應(yīng)的單質(zhì)為分子晶體，其中氫氣的熔點(diǎn)最低，由圖熔點(diǎn)的高低順序可知a為H，b為N，c為Na，d為Cu，e為Si，f為C，
A．e為Si，f為C，對(duì)應(yīng)的單質(zhì)為原子晶體，存在共價(jià)鍵，故A正確；
B．d為Cu，對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹，故B錯(cuò)誤；
C．b為N，元素形成的最高價(jià)含氧酸中含有O-H鍵，易與水分子之間形成氫鍵，故C正確；
D．單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1：1：1形成的分子為HCN，結(jié)構(gòu)式為H-C≡N，分子中含2個(gè)σ鍵，2個(gè)π鍵，故D正確；
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查元素的推斷和晶體的性質(zhì)，題目難度中等，根據(jù)晶體的熔沸點(diǎn)到底推斷元素的種類為解答該題的關(guān)鍵，注意把握常見晶體的性質(zhì)和構(gòu)成．