Question

【題目】前四周期原子序數依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七種元素，核電荷數均小于36，已知X的一種1：2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵，且所有原子共平面;Z的L層上有2個未成對電子;G原子s能級與P能級電子數相等;R單質是制造各種計算機、微電子產品的核心材料;T處于周期表的ds區，原子中只有一個未成對電子.

（1）Y原子核外共有______種不同運動狀態的電子，T+離子價電子排布圖為________。

（2）T元素在周期表的位置為__________。

（3）G、Q、R三種元素的氯化物的熔點如下表，G的氯化物明顯高于其他兩種的原因是__________。Q的氯化物高于R的氯化物，有同學猜想可能是因為其存在締合分子，試寫出其結構式____。

氟化物	G的氯化物	Q的氯化物	R的氯化物
熔點/℃	714	190	-70

（4）硒（Se）與Z同一主族，Se原子比Z原子多兩個電子層，則Se的原子序數為_____，其最高價氧化物中心原子的雜化方式為_____。該族2-5周期元素單質分別于H2反應生成1mol氣態氫化物的反應熱如下，表示生成1mol硒化氫反應熱的是_____（填字母代號）。

a.+99.7KJ/mol b.+29.7KJ/mol

c.-20.6KJ/mol d.-241.8KJ/mol

（5）金屬Q屬立方晶系，其晶胞邊長為405pm，密度是2.70g/cm3，通過計算確定Q原子在三維空間中堆積方式________（已知NA=6.02×1023,4053=6.64×107）；晶胞中距離最近的Q原子可看作是接觸的，列式計算Q的原子半徑=pm______。（只列出計算式即可）

Answer 1

【答案】 7 第四周期，第IB族 MgCl2為離子晶體，而AlCl3和SiCl4為分子晶體 34 sp3 b 面心立方最密堆積

【解析】X的一種氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵，說明分子里有雙鍵或參鍵，X的一種氫化物為1：2型且所有原子共平面，所以X應為碳元素，它的1：2型氫化物為乙烯；Z的L層上有2個未成對電子，即核外電子排布為1s22s22p2或1s22s22p4，X、Y、Z原子序數依次增大，所以Z為氧元素，且Y為氮元素；G原子s能級與p能級電子數相等，則Q的核外電子排布為1s22s22p4或1s22s22p63s2，由于G的原子序數比Z大，而Z的電子排布為1s22s22p4，所以Q的電子排布為1s22s22p63s2，即G為鎂元素；R單質是制造各種計算機、微電子產品的核心材料，則R為硅元素；原子序數介于G與R之間的Q為鋁元素；T處于周期表的ds區，原子中只有一個未成對電子且原子序數不大于36，則T為銅元素。

（1）Y為氮元素，原子序數為7，其原子核外共有7種不同運動狀態的電子，T是銅元素，原子序數為29，失去一個電子后其3d軌道全充滿，T+離子價電子排布圖為；（2）T是銅元素，原子序數為29，在周期表的位置為第四周期，第IB族；（3）G、Q、R三種元素的氯化物的熔點如下表，G的氯化物明顯高于其他兩種的原因是MgCl2為離子晶體，而AlCl3和SiCl4為分子晶體；氯化鋁熔點高于氯化硅，可能是因為其存在締合分子，其結構式為：；（4）硒（Se）與O同一主族，Se原子比O原子多兩個電子層，則Se的原子序數為8+8+18=34，其最高價氧化物H2SeO4中心原子Se價層電子對數==4，的雜化方式為sp3雜化；同主族元素從上而下非金屬性逐漸減弱，與氫氣化合的難度逐漸增強，Se是第四周期元素，故該族2-5周期元素單質分別于H2反應生成1mol氣態氫化物的反應熱中，表示生成1mol硒化氫反應熱的是b；（5）每個晶胞中含有鋁原子個數===4.00，該晶胞的每個頂點上和每個面上都含有一個Al原子，為面心立方晶胞最密堆積；面心立方晶胞中，每個面的對角線上三個原子緊挨著，所以對角線長度=×405pm，對角線為四個Al原子半徑之和，所以每個鋁原子半徑=。