【題目】①CH3CH2CH3 ②CH3CH2CH2CH3 ③CH3CH2CH2CH2CH3 ④
⑤
⑥CH3CH2CH2CH2CH2CH3
上述物質的沸點按由高到低的順序排列的是（ ）
A. ⑥③④⑤②① B. ⑥③②①④⑤ C. ⑤④⑥③②① D. ⑥⑤④③②①
科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】多晶硅是制作光伏電池的關鍵材料。以下是由粗硅制備多晶硅的簡易過程。
回答下列問題：
Ⅰ．硅粉與
在300℃時反應生成
氣體和
，放出
熱量，該反應的熱化學方程式為________________________。
的電子式為__________________。
Ⅱ．將
氫化為有三種方法，對應的反應依次為：
①
②
③
（1）氫化過程中所需的高純度可用惰性電極電解
溶液制備，寫出產生的電極名稱______（填“陽極”或“陰極”），該電極反應方程式為________________________。
（2）已知體系自由能變
，
時反應自發進行。三個氫化反應的
與溫度的關系如圖1所示，可知：反應①能自發進行的最低溫度是____________；相同溫度下，反應②比反應①的小，主要原因是________________________。
（3）不同溫度下反應②中轉化率如圖2所示。下列敘述正確的是______（填序號）。
a．B點：
b．
：A點
點 c．反應適宜溫度：
℃
（4）反應③的
______（用
，
表示）。溫度升高，反應③的平衡常數
______（填“增大”、“減小”或“不變”）。
（5）由粗硅制備多晶硅過程中循環使用的物質除、和
外，還有______（填分子式）。
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】次磷酸(H3PO2)是一種精細磷化工產品，具有較強還原性�；卮鹣铝袉栴}：
（1）H3PO2是一元中強酸，寫出其電離方程式____。
（2）H3PO2及NaH2PO2均可將溶液中的Ag+還原為銀，從而可用于化學鍍銀。
①H3PO2中P元素的化合價為___。
② 利用H3PO2進行化學鍍銀反應中，氧化劑與還原劑的物質的量之比為4∶1，則氧化產物為__________(填化學式)。
③從分類來看，NaH2PO2屬于______
a．正鹽 b．酸式鹽 c．鈉鹽 d．氧化物
（3）H3PO2的工業制法是：將白磷(P4)與Ba(OH)2溶液反應生成PH3氣體和Ba(H2PO2)2，后者再與H2SO4反應。寫出白磷與Ba(OH)2溶液反應的化學方程式_______Ba(H2PO2)2與H2SO4的離子方程式___________。
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】設NA表示阿伏加德羅常數的值。下列判斷正確的是
A. 標準狀況下，2.24L苯中含有碳碳雙鍵數為0.3NA
B. 6.4gS2、S4和S8的混合物中所含硫原子數為0.2NA
C. 1L0.1mol·L-1的氫碘酸中含碘化氫分子數為0.1NA
D. 60g乙酸與足量乙醇發生酯化反應時斷裂的C-O鍵數為NA
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科目：高中化學 來源： 題型：
【題目】某研究性學習小組擬取鹽湖苦鹵的濃縮液（富含Ca2+、Mg2+、Br-、SO42-、Cl-等）來制取較純凈的氯化鉀晶體及液溴，他們設計了如下流程：
回答以下問題：
（1）操作Ⅱ的名稱：_____；要從橙色液體中分離出溴，所采取的操作需要的主要玻璃儀器除酒精燈、溫度計、冷凝管、牛角管（接引管）、錐形瓶外，還需要_____。
（2）已知試劑X是BaCl2溶液，Y是KOH溶液，則試劑Z的化學式為_____；檢驗SO42-已除盡的方法是_____。
（3）操作Ⅲ的具體操作步驟：將溶液D倒入_____中并置于三腳架上加熱，同時用玻璃棒不斷攪拌，直到_____時，停止加熱。
（4）某同學用如圖所示的實驗裝置制取氧化劑并將其通入鹽湖苦鹵中。
裝置b在實驗中的作用是_____．若把上述裝置中的a、b作為氣體的發生、收集裝置，裝置c可任意改進，則根據下列提供的藥品，用這套裝置還可以制取的氣體是_____。
①制NH3：濃氨水和堿石灰 ②制SO2：Cu片和濃硫酸
③制NO：Cu片和稀硝酸 ④制O2：MnO2和雙氧水
若用上述裝置中的a、b制取并收集NO，應將裝置b如何改進：_____。
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【題目】某化學興趣小組欲選用下列裝置和藥品制取純凈乙炔并進行有關乙炔性質的探究，試回答下列問題。
（1）A中制取乙炔的化學方程式為_______________________________________________。
（2）制乙炔時，旋開分液漏斗的活塞，使水緩慢滴下的原因是________________________，分液漏斗里的液體通常用___________________。
（3）用電石制得的乙炔中常含有H2S、PH3等雜質，除去雜質應選用________（填字母，下同）裝置，氣體應從________進；干燥乙炔最好選用________裝置。
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【題目】ⅢA、VA族元素組成的化合物AlN、AlP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料。回答下列問題：
（1）As基態原子的電子占據了___________個能層，最高能級的電子排布式為___________；和As位于同一周期，且未成對電子數也相同的元素還有_____________種。
（2）元素周期表中，與P緊鄰的4種元素中電負性最大的是__________（填元素符號）；Si、P、S三種元素的第一電離能由大到小的順序是______________。
（3）已知AlN、AlP等半導體材料的晶體結構與單晶硅相似，則Al原子的雜化形式為________；晶體結構中存在的化學鍵有____________（填標號）。
A.離子鍵 B.
鍵 C.
鍵 D.配位鍵
（4）砷化鎵（GaAs）是繼硅晶體之后研究最深入、應用最廣泛的半導體材料，它能直接將電能轉變為光能，以其為材料制造的燈泡壽命長、耗能少。已知CaAs的晶胞結構如圖，晶胞參數
=0.565nm，則Ga原子與As原子的核間距為____________pm（列式表示）。
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【題目】銅單質及其化合物在很多領域中都有重要的用途。請回答以下問題：
(1)超細銅粉可用作導電材料、催化劑等，其制備方法如下：
①NH4CuSO3中金屬陽離子的核外電子排布式為__________________。N、O、S三種元素的第一電離能大小順序為____________(填元素符號)。
②向CuSO4溶液中加入過量氨水，可生成[Cu(NH3)4]SO4，下列說法正確的是________。
A．氨氣極易溶于水，原因之一是NH3分子和H2O分子之間形成氫鍵的緣故
B．NH3分子和H2O分子，分子空間構型不同，氨氣分子的鍵角小于水分子的鍵角
C．[Cu(NH3)4]SO4溶液中加入乙醇，會析出深藍色的晶體
D．已知3.4 g氨氣在氧氣中完全燃燒生成無污染的氣體，并放出a kJ熱量，則NH3的燃燒熱的熱化學方程式為：NH3(g)＋3/4O2(g)===1/2N2(g)＋3/2H2O(g) ΔH＝－5a kJ·mol－1
(2)銅錳氧化物(CuMn2O4)能在常溫下催化氧化空氣中的氧氣變為臭氧(與SO2互為等電子體)。根據等電子原理，O3分子的空間構型為________。
(3)氯與不同價態的銅可生成兩種化合物，其陰離子均為無限長鏈結構(如圖所示)，a位置上Cl原子(含有一個配位鍵)的雜化軌道類型為____________________。
(4)如圖是金屬Ca和D所形成的某種合金的晶胞結構示意圖，已知鑭鎳合金與上述Ca－D合金都具有相同類型的晶胞結構XYn，它們有很強的儲氫能力。已知鑭鎳合金LaNin晶胞體積為9.0×10－23 cm3，儲氫后形成LaNinH4.5合金(氫進入晶胞空隙，體積不變)，則LaNin中n＝______________________(填數值)；氫在合金中的密度為________(保留兩位有效數字)。
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【題目】下列反應都有水參加，其中屬于氧化還原反應，而水既不做氧化劑，又不做還原劑的是（ ）
A. Na2O + H2O = 2NaOH B. 2Na + 2H2O = 2NaOH + H2 ↑
C. C12 + H2O = HC1O + HC1 D. C + H2O 
CO + H2 ↑
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