Question

（12分）（1）Cu位于元素周期表第I B族，Cu^2＋的核外電子排布式為               。

（2）右圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，可確定該晶胞中陰離子的個(gè)數(shù)為       。

（3）膽礬CuSO₄·5H₂O可寫成[Cu(H₂O)₄]SO₄ H₂O，其結(jié)構(gòu)示意圖如下：

下列說法正確的是     （填字母）。

A．在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，所有氧原子都采用sp³雜化

B．在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，存在配位鍵、共價(jià)鍵和離子鍵

C．膽礬是分子晶體，分子間存在氫鍵

D．膽礬中的水在不同溫度下會(huì)分步失去

（4）Cu₂O的熔點(diǎn)比Cu₂S的           （填“高”或“低”），請(qǐng)解釋原因           。

（5）配合物Ni(CO)₄常溫下為液態(tài)，易溶于CCl₄、苯等有機(jī)溶劑。固態(tài)Ni(CO)₄屬于     晶體；基態(tài)Ni原子的電子占有    種能量不同的原子軌道

（6）很多不飽和有機(jī)物在Ni催化下可以與H₂發(fā)生加成反應(yīng)。如

①CH₂=CH₂、②CH≡CH、③、④等，其中分子中C原子為SP²雜化的

有                 （填物質(zhì)序號(hào)），預(yù)測(cè)HCHO分子的立體結(jié)構(gòu)為            形。

 

Answer 1

【答案】

（1） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹或 [Ar]3d⁹ (1分)        （2） 4   (2分)   

（3）  ABD (1分) 

（4） 高 (1分)， 它們都是離子晶體，由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵，所以Cu₂O的熔點(diǎn)比Cu₂S的高(2分) 

（5）分子 (1分)，   7 (1分)

（6）①③④  (2分)，平面三角形(1分)。 

【解析】

試題分析：（1）Cu（電子排布式為：[Ar]3d¹⁰4s¹）到Cu²⁺的過程中，參與反應(yīng)的電子是最外層的4s及3d上各一個(gè)電子，故Cu²⁺離子的電子排布式是為：[Ar]3d⁹或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；

（2）從圖中可以看出陰離子在晶胞有四類：頂點(diǎn)（8個(gè)）、棱上（4個(gè)）、面上（2個(gè)）、體心（1個(gè)），根據(jù)立方體的分?jǐn)偡ǎ�可知該晶胞中陰離子數(shù)目為：8×1/8+4×1/4+2×1/2+1=4；

（3）A項(xiàng)在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，所有氧原子都是飽和氧原子，所以都采用sp³雜化，故A正確；B項(xiàng)在上述結(jié)構(gòu)示意圖中，存在O→Cu配位鍵，H-O、S-O共價(jià)鍵和Cu、O離子鍵，故B正確；C項(xiàng)膽礬是五水硫酸銅，膽礬是由水合銅離子及硫酸根離子構(gòu)成的，屬于離子晶體，故C錯(cuò)誤；D項(xiàng)由于膽礬晶體中水兩類，一類是形成配體的水分子，一類是形成氫鍵的水分子，結(jié)合上不同，因此受熱時(shí)也會(huì)因溫度不同而得到不同的產(chǎn)物，故D正確。

（4）由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強(qiáng)于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵，所以Cu₂O的熔點(diǎn)比Cu₂S的高。

（5）易溶于CCl₄、苯等有機(jī)溶劑，說明是分子晶體；基態(tài)Ni原子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²，電子占有7種能量不同的原子軌道；

（6）SP²雜化的是平面型，有①③④，CH≡CH是直線型，是SP雜化；HCHO分子中碳是SP²，是平面型。

考點(diǎn)：晶胞的計(jì)算；配合物的成鍵情況；晶體的構(gòu)型與雜化的關(guān)系。

點(diǎn)評(píng)：本題考查常見元素核外電子排布、電負(fù)性概念、常見軌道雜化類型、以及離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)、化學(xué)鍵、物質(zhì)性質(zhì)、配合物成鍵狀況的了解，題目難度中等，學(xué)習(xí)中注意加強(qiáng)對(duì)晶胞以及晶體結(jié)構(gòu)的分析。