Question

【題目】【化學(xué)——選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)】砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：

（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 。

（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga As，第一電離能Ga As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為 ，其中As的雜化軌道類型為 。

（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77．9℃，其原因是 。

（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

該晶體的類型為 。Ga與As的摩爾質(zhì)量分別為和，原子半徑分別為和，阿伏加德羅常數(shù)值為，則晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 。（已知1m=1012pm）

Answer 1

【答案】（1）1s22s22p63s23p63d104s24p3 （2） 大于 小于 （3）三角錐形 sp3

（4）GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，離子晶體GaF3的熔沸點高；

（5）原子晶體；共價鍵

【解析】

試題分析：（1）As的原子序數(shù)是33，則基態(tài)As原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3。

（2）同周期自左向右原子半徑逐漸減下，則原子半徑Ga大于As，由于As的4p軌道電子處于半充滿狀態(tài)，穩(wěn)定性強，所以第一電離能Ga小于As。

（3）AsCl3分子的價層電子對數(shù)為4，含有一對孤對電子，所以立體構(gòu)型為三角錐形，其中As的雜化軌道類型為sp3。

（4）由于GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，所以離子晶體GaF3的熔沸點高。

（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，熔點很高，所以晶體的類型為原子晶體，其中Ga與As以共價鍵鍵合。根據(jù)晶胞晶胞可知晶胞中Ca和As的個數(shù)均是4個，所以晶胞的體積是。二者的原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為×100%＝。