Question

W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示．已知W的一種核素的質量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質是一種常見的半導體材料；Z的電負性在同周期主族元素中最大．（以下答案的W、X、Y、Z必須用相應的元素符號代替）
（1）X的原子結構示意圖為

；W的基態(tài)原子核外有

2

個未成對電子．
（2）XZ與X₂W都屬于

離子

晶體（寫晶體類型）；其熔點較高的是

Na₂O

 （寫化學式），原因是

氯離子的半徑大于氧離子半徑，氧化鈉中核間距小且氧離子所帶電荷多，氧化鈉的晶格能大

．
（3）YZ₄和足量的水反應，生成一種弱酸和一種強酸，該反應的化學方程式是

SiCl₄+4H₂O=H₄SiO₄↓+4HCl

．

Answer 1

分析：W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，已知W的一種核素的質量數(shù)為18，中子數(shù)為10，則W元素原子的質子數(shù)為18-10=8，故W為氧元素；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1，X為Na或F，X原子半徑大于氧原子，故X為Na元素；Y的單質是一種常見的半導體材料，原子序數(shù)大于Na元素，故Y為Si元素；Z的非金屬性在同周期元素中最強，故Z為Cl元素，據(jù)此解答．

解答：解：W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，已知W的一種核素的質量數(shù)為18，中子數(shù)為10，則W元素原子的質子數(shù)為18-10=8，故W為氧元素；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1，X為Na或F，X原子半徑大于氧原子，故X為Na元素；Y的單質是一種常見的半導體材料，原子序數(shù)大于Na元素，故Y為Si元素；Z的非金屬性在同周期元素中最強，故Z為Cl元素，
（1）X為Na，原子核外電子數(shù)為11，原子結構示意圖為；W為氧元素，其基態(tài)原子核外電子排布為1s²2s²2p⁴，核外有2個未成對電子，
故答案為：；2；
（2）NaCl與Na₂O都屬于離子晶體，氯離子的半徑大于氧離子半徑，氧化鈉中核間距小且氧離子所帶電荷多，氧化鈉的晶格能大，氧化鈉熔點高，
故答案為：離子；Na₂O；氯離子的半徑大于氧離子半徑，氧化鈉中核間距小且氧離子所帶電荷多，氧化鈉的晶格能大；
（3）SiCl₄和足量的水反應，生成一種弱酸和一種強酸，反應方程式為：SiCl₄+4H₂O=H₄SiO₄↓+4HCl，
故答案為：SiCl₄+4H₂O=H₄SiO₄↓+4HCl．

點評：本題考查位置結構性質關系、常用化學用語、晶體類型與性質等，難度中等，推斷元素是解題的關鍵，注意對元素周期律的理解與運用．