下列離子中不存在配位鍵的是（ ）
| A．H3O+ | B．OH- | C．NH4+ | D．[Zn（NH3）4]2+ |
A．水合氫離子中氧原子含有孤電子對(duì)，其中一個(gè)氫原子含有空軌道，能形成配位鍵，故A錯(cuò)誤；
B．氫氧根離子中氧原子含有孤電子對(duì)，但氫原子不含空軌道，不能形成配位鍵，故B正確；
C．銨根離子中氮原子含有孤電子對(duì)，其中一個(gè)氫原子含有空軌道，能形成配位鍵，故C錯(cuò)誤；
D．鋅氨絡(luò)合離子中鋅離子含有空軌道，氮原子含有孤電子對(duì)，能形成配位鍵，故D錯(cuò)誤；
故選：B．
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題
科目：高中化學(xué)
來源：不詳
題型：填空題
A、B、C三種元素為短周期元素。A元素的陰離子不能被任何氧化劑氧化，則A離子的結(jié)構(gòu)示意圖為______，它是______離子。1 mol B單質(zhì)能從鹽酸中置換出3 g氫氣，此時(shí)B轉(zhuǎn)變?yōu)榕cNe原子具有相同電子層結(jié)構(gòu)的離子，則B元素是______；B的最高價(jià)氧化物的相應(yīng)水化物的化學(xué)式為______。C元素有三個(gè)電子層，且最外電子層比L電子層少2個(gè)電子，則C元素是______；C與Na反應(yīng)后生成物的電子式為______，化合物中的化學(xué)鍵屬于______。
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科目：高中化學(xué)
來源：不詳
題型：實(shí)驗(yàn)題
在下圖中，橫坐標(biāo)為某溶液中加入溶質(zhì)的物質(zhì)的量，縱坐標(biāo)為生成沉淀的量：
從A～D中選擇符合表中各項(xiàng)要求填入相應(yīng)位置。
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科目：高中化學(xué)
來源：不詳
題型：單選題
對(duì)應(yīng)于下列物質(zhì)中的中心原子的雜化軌道類型和分子的立體構(gòu)型有錯(cuò)誤的是（ ）
| A．BeCl2中的Be，sp，直線形 |
| B．SiF4中的Si，sp3，正四面體形 |
| C．BCl3中的B，sp2，平面三角形 |
| D．C6H6中的C，sp，平面正六邊形 |
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科目：高中化學(xué)
來源：不詳
題型：單選題
下列分子或離子的空間構(gòu)型為平面三角形的是（ ）
| A．SiH4 | B．H3O+ | C．SO32- | D．NO3- |
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科目：高中化學(xué)
來源：不詳
題型：單選題
氮化硅是一種超硬、耐磨、耐高溫的結(jié)構(gòu)材料。下列各組物質(zhì)熔化時(shí)，與氮化硅熔化所克服的粒子間的作用相同的是
| A．硝石(NaNO3)和金剛石 | B．晶體硅和水晶 |
| C．重晶石(BaSO4)和螢石(CaF2) | D．冰和干冰 |
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科目：高中化學(xué)
來源：不詳
題型：填空題
(15分)鐵、鋁、銅等金屬及其化合物在日常生活中應(yīng)用廣泛，請(qǐng)根據(jù)下列實(shí)驗(yàn)回答問題：
(1)單質(zhì)鐵屬于______晶體，將FeCl3溶液加熱蒸干，灼燒所得的物質(zhì)是______ (填化學(xué)式)：
(2)請(qǐng)寫出鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式______________________________
(3)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與雙氧水都不反應(yīng)，但可與二者的混合溶液反應(yīng)生成深藍(lán)色溶液，在該深藍(lán)色的濃溶液中加入乙醇所產(chǎn)生的現(xiàn)象是______，畫出呈深藍(lán)色的離子的結(jié)構(gòu)式______．
寫出Cu與氨水、雙氧水反應(yīng)的離子方程式：____________________________________．
(4)在硫酸亞鐵溶液中加入過量的碳酸氫銨，有FeCO3沉淀生成，寫出其化學(xué)方程式____________．
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科目：高中化學(xué)
來源：不詳
題型：單選題
某離子晶體的晶體結(jié)構(gòu)中最小重復(fù)單元如圖所示：A為陰離子，在正方體內(nèi)，B為陽離子，分別在頂角和面心，則該晶體的化學(xué)式為（ ）。
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