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【題目】2017年6月19日，在中國西昌衛星發射中心由長征三號乙運載火箭發射升空的“中星9號”剛發射不久，就因運載火箭出現異常狀況，沒有到達目標軌道。然而這顆“被丟在半路”的衛星并沒有被中國科研人員放棄，在地面遙控指揮下，衛星依靠自身的燃料在太空中用了16天獨自爬升2萬公里，終于到達預定軌道。從此，這顆衛星被網友親切地稱為“星堅強”。假設“星堅強”在地球上空某高度處做圓周運動，運行速度為v1。若它需要進入更高軌道才能到達預定軌道，預定軌道上衛星的運行速度為v2。對這一變軌過程及變軌前后的速度對比正確的是

A. 發動機向后噴氣進入高軌道，v1>v2

B. 發動機向后噴氣進入高軌道，v1<v2

C. 發動機向前噴氣進入高軌道，v1>v2

D. 發動機向前噴氣進入高軌道，v1<v2

【答案】A

【解析】要使衛星進入高軌道，必須讓發動機向后噴氣才能完成，根據，則可知，因高軌道半徑較大，則v1>v2，故選A.

練習冊系列答案

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】把火星和地球繞太陽運行的軌道視為圓周。由火星和地球繞太陽運行的周期之比可求得

A. 火星和地球繞太陽運行的軌道半徑之比 B. 火星和地球的質量之比

C. 火星和地球的密度之比 D. 火星和地球所受太陽的萬有引力之比

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】圖甲所示是某磁敏電阻在室溫下的電阻RB隨磁感應強度B變化的特性曲線，其中，在0.4T≤B≤1.2T的范圍內，圖線為直線。測試時，磁敏電阻的軸向方向與磁場方向垂直。

(1)試結合圖甲，寫出在0.4T≤B≤1.2T的范圍內，RB隨B變化的關系式：RB=________kΩ。

(2)某同學想利用該磁敏電阻去測量某磁場的磁感應強度B，他找到了如圖乙所示的器材，并連好部分導線。

①該同學所選器材的規格為：電源(電動勢3V，內阻不計)；磁敏電阻(無磁場時的阻值R0=250Ω)；滑動變阻器(最大電阻約10Ω)；電流表(量程2.5mA，內阻約10Ω)；電壓表(量程3V，內阻約3kΩ)。

請在答題卡對應的圖乙中添加連接導線_______________ ，使磁敏電阻接入電路，并能在實驗中，調節滑動變阻器滑片時得到如下表所示的數據：

②忽略電路中電流產生的磁場，根據表中數據和上述信息，求出所測磁場的磁感應強度B的大小為_________T。(取一位有效數字)

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，傾角為的足夠長光滑、固定斜面的底端有一垂直斜面的擋板，A、B兩物體質量均為m，通過勁度系數為k的輕質彈簧相連放在斜面上，開始時兩者都處于靜止狀態，現對A施加一沿斜面向上的恒力F=2 μmgsinθ(g為重力加速度)，經過作用時間t，B剛好離開擋板，若不計空氣阻力，求：

(1)剛施加力F的瞬間，A的加速度大小；

(2)B剛離開擋板時，A的速度大小；

(3)在時間!內，彈簧的彈力對A的沖量IA。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】氣體溫度計結構如圖所示。玻璃測溫泡A內充有理想氣體,通過細玻璃管B和水銀壓強計相連。開始時A處于冰水混合物中,左管C中水銀面在O點處,右管D中水銀面高出O點h1=14cm,后將A放入待測恒溫槽中,上下移動D,使C中水銀面仍在O點處,測得D中水銀面高出O點h2=44cm。(已知外界大氣壓為標準大氣壓,標準大氣壓相當于76cm高水銀柱產生的壓強)

(1)求恒溫槽的溫度______________。

(2)此過程A內氣體內能______________(選填“增大”或“減小”),氣體不對外做功,氣體將________________(選填“吸熱”或“放熱”)。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】電荷的定向移動形成電流，電流是物理量中的基本量之一。電流載體稱為載流子，大自然有很多種承載電荷的載流子，例如，金屬導體內可自由移動的電子、電解液內的離子、等離子體內的正負離子，半導體中的空穴，這些載流子的定向移動，都可形成電流。

（1）電子繞氫原子核做圓周運動時，可等效為環形電流，已知靜電力常量為k，電子的電荷量為e，質量為m，電子在半徑為r的軌道上做圓周運動。試計算電子繞氫原子核在該軌道上做圓周運動形成的等效電流大小；

（2）如圖，AD表示一段粗細均勻的一段導體，兩端加一定的電壓，導體中的自由電荷沿導體定向移動的速率為v，設導體的橫截面積為s，導體每單位體積內的自由電荷數為n，每個自由電荷所帶的電荷量為e．試證明導體中電流強度I=nesv；

（3）有一圓柱形的純凈半導體硅，其橫截面積為2.5cm2，通有電流2mA時，其內自由電子定向移動的平均速率為7.5×10-5m/s，空穴定向移動的平均速率為2.5×10-5m/s。已知硅的密度2.4×103kg/m3，摩爾質量是28。電子的電荷量e=－1.6×10-19C，空穴和電子總是成對出現，它們所帶電荷量相等，但電性相反，阿伏伽德羅常數為N0=6.02×1023mol-1。若一個硅原子至多只釋放一個自由電子，試估算此半導體材料平均多少個硅原子才有一個硅原子釋放出自由電子？