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如圖電路所示，在變阻器的滑片從一端滑到另一端的過程中，兩電壓表的示數隨電流的變化情況如圖(b)U一，圖象中的AC、BC兩直線所示，不考慮電表對電路的影響，該電源的電動勢和內電阻分別為_______、________。變阻器的滑片從一端滑到另一端的過程中，變阻器消耗的最大電功率為________

8V 1 4W

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科目：高中物理 來源： 題型：閱讀理解

A．（1）為了將空氣裝入氣瓶內，現將一定質量的空氣等溫壓縮，空氣可視為理想氣體．下列圖象能正確表示該過程中空氣的壓強p和體積V關系的是

．

（2）在將空氣壓縮裝入氣瓶的過程中，溫度保持不變，外界做了24kJ的功．現潛水員背著該氣瓶緩慢地潛入海底，若在此過程中，瓶中空氣的質量保持不變，且放出了5kJ的熱量．在上述兩個過程中，空氣的內能共減小

kJ，空氣

（選填“吸收”或“放出”）的總能量為

kJ．
（3）已知潛水員在岸上和海底吸入空氣的密度分別為1.3kg/m³和2.1kg/m³，空氣的摩爾質量為0.029kg/mol，阿伏加德羅常數N_A=6.02×10²³mol^-1．若潛水員呼吸一次吸入2L空氣，試估算潛水員在海底比在岸上每呼吸一次多吸入空氣的分子數．（結果保留一位有效數字）
B．（1）激光具有相干性好，平行度好、亮度高等特點，在科學技術和日常生活中應用廣泛．下面關于激光的敘述正確的是

．
A．激光是縱波
B．頻率相同的激光在不同介質中的波長相同
C．兩束頻率不同的激光能產生干涉現象
D．利用激光平行度好的特點可以測量月球到地球的距離
（2）如圖甲所示，在楊氏雙縫干涉實驗中，激光的波長為5.30×10^-7m，屏上P點距雙縫S₁和S₂的路程差為7.95×10^-7m，則在這里出現的應是

（選填“明條紋”或“暗條紋”）．現改用波長為6.30×10^-7m的激光進行上述實驗，保持其他條件不變，則屏上的條紋間距將

（選填“變寬”、“變窄”或“不變”）．
（3）如圖乙所示，一束激光從O點由空氣射入厚度均勻的介質，經下表面反射后，從上面的A點射出．已知入射角為i，A與O 相距l，介質的折射率為n，試求介質的厚度d．

C．（1）研究光電效應電路如圖所示．用頻率相同、強度不同的光分別照射密封真空管的鈉極板（陰極K），鈉極板發射出的光電子被陽極A吸收，在電路中形成光電流．下列光電流I與A、K之間的電壓U_AK的關系圖象中，正確的是

．

（2）鈉金屬中的電子吸收光子的能量，從金屬表面逸出，這就是光電子．光電子從金屬表面逸出的過程中，其動量的大小

（選填“增大”、“減小”或“不變”），原因是

．
（3）已知氫原子處在第一、第二激發態的能級分別為-3.40eV和-1.51eV，金屬鈉的截止頻率為5.53×10¹⁴Hz，普朗克常量h=6.63×10^-34J?s．請通過計算判斷，氫原子從第二激發態躍遷到第一激發態過程中發出的光照射金屬鈉板，能否發生光電效應．

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科目：高中物理 來源： 題型：閱讀理解

（1）利用單擺驗證小球平拋運動規律，設計方案如圖a所示，在懸點O正下方有水平放置的熾熱的電熱線P，當懸線擺至電熱絲處時能輕易被燒斷；MN為水平木板，已知懸線長為L，懸點到木板的距離OO′=h（h＞L）．

①將小球向左拉起后自由釋放，最后小球落到木板上的C點，O′C=s，則小球做平拋運動的初速度為v₀=

．
②在其他條件不變的情況下，若改變釋放小球時懸線與豎直方向的夾角θ，小球落點與O'點的水平距離s將隨之改變，經多次實驗，以s²為縱坐標、cosθ為橫坐標，得到如圖b所示圖象．則當θ=30°時，s為

m；若懸線長L=1.0m，懸點到木板間的距離OO′為

m．
（2）某學校實驗室新進了一批低電阻的電磁螺線管．已知螺線管使用的金屬絲電阻率ρ=1.7×10^-8Ω?m．課外活動小組的同學設計了一個試驗來測算螺線管使用的金屬絲長度．他們選擇了多用電表、電流表、電壓表、開關、滑動變阻器、螺旋測微器（千分尺）、導線和學生電源等．
①他們使用多用電表粗測金屬絲的電阻，操作過程分以下三個步驟：（請填寫第II步操作）
Ⅱ．

；
Ⅲ．把紅黑表筆分別與螺線管金屬絲的兩端相接，多用表的示數如圖c所示．
②根據多用電表示數，為了減少實驗誤差，并在實驗中獲得較大的電壓調節范圍，應從圖d的A、B、C、D四個電路中選擇

電路來測量金屬絲電阻；
③他們使用千分尺測量金屬絲的直徑，示數如圖e所示，金屬絲的直徑為

mm；
④根據多用電表測得的金屬絲電阻值，可估算出繞制這個螺線管所用金屬絲的長度約為

m．（結果保留兩位有效數字）
⑤用電流表和電壓表測量金屬絲的電阻時，由于電壓表、電流表內阻的影響，不論使用電流表內接法還是電流表外接法，都會產生系統誤差．按如圖f所示的電路進行測量，可以消除由于電表內阻造成的系統誤差．利用該電路進行實驗的主要操作步驟是：
第一步：先將R₂的滑動頭調到最左端，單刀雙擲開關S₂向1閉合，閉合開關S₁，調節滑動變阻器R₁和R₂，使電壓表和電流表的示數盡量大些（在不超過量程的情況下），讀出此時電壓表和電流表的示數U₁、I₁．
第二步：保持兩滑動變阻器滑動頭位置不變，將單刀雙擲開頭S₂向2閉合，讀出此時電壓表和電流表的示數U₂、I₂．
請寫出由以上記錄數據計算被測電阻R_x的表達式R_x=

．

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科目：高中物理 來源： 題型：閱讀理解

霍爾效應是電磁基本現象之一，近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展．如圖1所示，在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M、N間出現電壓U_H，這個現象稱為霍爾效應，U_H稱為霍爾電壓，且滿足UH=k

，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數．某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數．

①若該半導體材料是空穴（可視為帶正電粒子）導電，電流與磁場方向如圖1所示，該同學用電壓表測量U_H時，應將電壓表的“+”接線柱與

（填“M”或“N”）端通過導線相連．
②已知薄片厚度d=0.40mm，該同學保持磁感應強度B=0.10T不變，改變電流I的大小，測量相應的U_H值，記錄數據如下表所示．

I（×10^-3A）	3.0	6.0	9.0	12.0	15.0	18.0
U_H（×10^-3V）	1.1	1.9	3.4	4.5	6.2	6.8

根據表中數據在表格中畫出U_H-I圖線，利用圖線求出該材料的霍爾系數為

×10^-3V?m?A^-1?T^-1（保留2位有效數字）．
③該同學查閱資料發現，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數的測量誤差，為此該同學設計了如圖2所示的測量電路，S₁、S₂均為單刀雙擲開關，虛線框內為半導體薄片（未畫出）．為使電流從Q端流入，P端流出，應將S₁擲向

（填“a”或“b”），S₂擲向

（填“c”或“d”）．
為了保證測量安全，該同學改進了測量電路，將一合適的定值電阻串聯在電路中．在保持其它連接不變的情況下，該定值電阻應串聯在相鄰器件

和

（填器件代號）之間．

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科目：高中物理 來源：2013年全國普通高等學校招生統一考試理科綜合能力測試物理（山東卷帶解析） 題型：問答題

（1）圖甲為一游標卡尺的結構示意圖，當測量一鋼筆帽的內徑時，應該用游標卡尺的__________(填“A”“B”或“C”)進行測量；示數如圖乙所示，該鋼筆帽的內徑為________mm。

（2）霍爾效應是電磁基本現象之一，近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展。如圖丙所示，在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M、N間出現電壓U_H，這個現象稱為霍爾效應，U_H稱為霍爾電壓，且滿足，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數。某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數。

①若該半導體材料是空穴（可視為帶正電粒子）導電，電流與磁場方向如圖丙所示，該同學用電壓表測量U_H時，應將電壓表的“+”接線柱與_________（填“M”或“N”）端通過導線相連。
②已知薄片厚度d=0.40mm，該同學保持磁感應強度B=0.10T不變，改變電流I的大小，測量相應的U_H值，記錄數據如下表所示。

根據表中數據在給定區域內（見答題卡）畫出U_H—I圖線，利用圖線求出該材料的霍爾系數為_______________（保留2位有效數字）。
③該同學查閱資料發現，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數的測量誤差，為此該同學設計了如圖丁所示的測量電路，S₁、S₂均為單刀雙擲開關，虛線框內為半導體薄片（未畫出）。為使電流從Q端流入，P端流出，應將S₁擲向_______（填“a”或“b”），S₂擲向_______（填“c”或“d”）。

為了保證測量安全，該同學改進了測量電路，將一合適的定值電阻串聯在電路中。在保持其它連接不變的情況下，該定值電阻應串聯在相鄰器件____________和__________(填器件代號)之間。

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科目：高中物理 來源：2013年全國普通高等學校招生統一考試理科綜合能力測試物理（山東卷解析版） 題型：簡答題

（1）圖甲為一游標卡尺的結構示意圖，當測量一鋼筆帽的內徑時，應該用游標卡尺的__________(填“A”“B”或“C”)進行測量；示數如圖乙所示，該鋼筆帽的內徑為________mm。

（2）霍爾效應是電磁基本現象之一，近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展。如圖丙所示，在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M、N間出現電壓U_H，這個現象稱為霍爾效應，U_H稱為霍爾電壓，且滿足，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數。某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數。

①若該半導體材料是空穴（可視為帶正電粒子）導電，電流與磁場方向如圖丙所示，該同學用電壓表測量U_H時，應將電壓表的“+”接線柱與_________（填“M”或“N”）端通過導線相連。

②已知薄片厚度d=0.40mm，該同學保持磁感應強度B=0.10T不變，改變電流I的大小，測量相應的U_H值，記錄數據如下表所示。

根據表中數據在給定區域內（見答題卡）畫出U_H—I圖線，利用圖線求出該材料的霍爾系數為_______________（保留2位有效數字）。

③該同學查閱資料發現，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數的測量誤差，為此該同學設計了如圖丁所示的測量電路，S₁、S₂均為單刀雙擲開關，虛線框內為半導體薄片（未畫出）。為使電流從Q端流入，P端流出，應將S₁擲向_______（填“a”或“b”），S₂擲向_______（填“c”或“d”）。

為了保證測量安全，該同學改進了測量電路，將一合適的定值電阻串聯在電路中。在保持其它連接不變的情況下，該定值電阻應串聯在相鄰器件____________和__________(填器件代號)之間。

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