單匝閉合線框在勻強磁場中，繞垂直于磁場方向的轉軸勻速轉動。在轉動的過程中，線框中的最大磁通量為φm，最大感應電動勢為Em，下列說法中錯誤的是（ ）
A．當穿過線框的磁通量為零時，線框中感應電動勢也為零
B．當穿過線框的磁通量減小時，線框中感應電動勢也減小
C．當穿過線框的磁通量等于0.5φm時，線框中感應電動勢不等于0.5Em
D．線框轉動的角速度等于Em /φm
科目：高中物理 來源： 題型：
（2008?北京）均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長為L，總電阻為R，總質量為m，將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行，當cd邊剛進入磁場時．查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
（2013?永康市模擬）均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd，每邊長L=0.1m，總電阻R=0.1Ω，總質量為m=0.1kg．將其置于磁感強度B=1.0T的水平勻強磁場上方h處，如圖所示．線框由靜止自由下落，線框平面保持在豎直平面內，且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行，取g=10m/s2．查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源：2011-2012學年江西省高三聯合考試理綜物理卷（解析版） 題型：選擇題
如圖所示，由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動．在線框的下方，有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區，磁場區高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進入磁場區．對此，下列說法中正確的是
A．線圈ab邊剛進入磁場時，感應電流的方向為a→b→c→d→a
B．線圈ab邊剛進入磁場時，a、b兩點間的電壓為
C．線圈在磁場以上，下落的高度為
D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產生的電能為2mgL
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科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動．在線框的下方，有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區，磁場區高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進入磁場區．對此，下列說法中正確的是
A．線圈ab邊剛進入磁場時，感應電流的方向為a→b→c→d→a
B．線圈ab邊剛進入磁場時，a、b兩點間的電壓為
C．線圈在磁場以上，下落的高度為
D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產生的電能為2mgL
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科目：高中物理 來源：2012屆江西省贛州三中、于都中學高三聯合考試理綜物理卷（帶解析） 題型：單選題
如圖所示，由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動．在線框的下方，有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區，磁場區高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進入磁場區．對此，下列說法中正確的是
| A．線圈ab邊剛進入磁場時，感應電流的方向為a→b→c→d→a |
B．線圈ab邊剛進入磁場時，a、b兩點間的電壓為 |
C．線圈在磁場以上，下落的高度為 |
| D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產生的電能為2mgL |
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，最大磁通量
，所以
，故
，D正確；
