一帶正電的小球沿光滑水平桌面向右運動，飛離桌面后進入勻強磁場，如圖所示，若飛行時間t1后落在地板上，水平射程為s1，著地速度大小為v1，撤去磁場，其他條件不變，小球飛行時間t2，水平射程s2，著地速度大小為v2，則（ ）| A、s2＞s1 | B、t1＞t2 | C、v1＞v2 | D、v1=v2 |
科目：高中物理 來源： 題型：
電子感應加速器的基本原理如圖所示．在上、下兩個電磁鐵形成的異名磁極之間有一個環形真空室．圖甲為側視圖，圖乙為真空室的俯視圖．電磁鐵中通以交變電流，使兩極間的磁場周期性變化，從而在真空室內產生感生電場，將電子從電子槍右端注入真空室，電子在感生電場的作用下被加速，同時在洛倫茲力的作用下，在真空室中沿逆時針方向（圖乙中箭頭方向）做圓周運動．由于感生電場的周期性變化使電子只能在某段時間內被加速，但由于電子的質量很小，故在極短時間內被加速的電子可在真空室內回旋數10萬以至數百萬次，并獲得很高的能量．若磁場的磁感應強度B（圖乙中垂直紙面向外為正）隨時間變化的關系如圖丙所示，不考慮電子質量的變化，則下列說法中正確的是（ ）| A、電子在真空室中做勻速圓周運動 | ||||
| B、電子在運動時的加速度始終指向圓心 | ||||
C、在丙圖所示的第一個周期中，電子只能在0～
| ||||
D、在丙圖所示的第一個周期中，電子在0～
|
查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，三個半徑分別為R、2R、6R的同心圓將空間分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、四個區域，其中圓形區域Ⅰ和環形區域Ⅲ內有垂直紙面向里的勻強磁場，磁感應強度分別為B和| B |
| 2 |
| A、質子最終將離開區域Ⅲ在區域Ⅳ內勻速運動 |
| B、質子最終將一直在區域Ⅲ內做勻速圓周運動 |
| C、質子能夠回到初始點A，且周而復始地運動 |
| D、質子能夠回到初始點A，且回到初始點前，在區域Ⅲ中運動的時間是在區域Ⅰ中運動時間的3倍 |
查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，兩個半徑相同的半圓形光滑軌道置于豎直平面內，左右兩端登高，分別處于沿水平方向的勻強磁場和勻強電場中．兩個相同的帶正電小球a、b同時從兩軌道左端最高點由靜止釋放，M、N為軌道最低點，則下列說法中正確的是（ ）| A、兩個小球到達軌道最低點的速度vM＜vN | B、兩個小球第一次經過軌道最低點時對軌道的壓力FM＞FN | C、磁場中a小球能到達軌道另一端最高處，電場中b小球不能到達軌道另一端最高處 | D、a小球第一次到達M點的時間大于b小球第一次到達N點的時間 |
查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，D是一只理想二極管，電流只能從a流向b，而不能從b流向a0．平板電容器的A、B兩極板之間有一電荷，在P點處于靜止狀態．以φp表示P點的電勢，U表示兩極板間電壓，EP表示電荷在電場中的電勢能．若保持極板B不動，將極板A稍向上平移，則下列說法中正確（ ）| A、U變大 | B、φp不變 | C、Ep變大 | D、電荷將向上加速 |
查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，平行板電容器與電動勢為E的直流電源（內阻不計）連接，下極板接地．一帶電油滴位于容器中的P點且恰好處于平衡狀態．現將平行板電容器的上極板豎直向上移動一小段距離后（ ）| A、P點的電勢將降低 | B、P帶電油滴的電勢能將增大 | C、帶電油滴將沿豎直方向向上運動 | D、電容器的電容減小，極板帶電量將增大 |
查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
| A、0～1s內ab、cd導線互相排斥 | B、1～2s內ab、cd導線互相吸引 | C、2～3s內ab、cd導線互相吸引 | D、3～4s內ab、cd導線互相吸引 |
查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，通過水平絕緣傳送帶輸送完全相同的銅線圈，線圈等距離排列，且與傳送帶以相同的速度勻速運動．為了檢測出個別未閉合的不合格線圈，讓傳送帶通過一固定勻強磁場區域，磁場方向垂直于傳送帶運動方向，根據穿過磁場后線圈間的距離，就能夠檢測出不合格線圈．通過觀察圖形，判斷下列說法正確的是（ ）| A、若線圈閉合，進入磁場時，線圈中感應電流方向從上向下看為逆時針 | B、若線圈閉合，傳送帶以較大速度勻速運動時，磁場對線圈的作用力增大 | C、從圖中可以看出，第2個線圈是不合格線圈 | D、從圖中可以看出，第3個線圈是不合格線圈 |
查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
| A、一定質量的氣體，在體積不變時，分子每秒平均碰撞次數隨著溫度降低而減小 | B、單晶體有固定的熔點，多晶體和非晶體沒有固定的熔點 | C、熱量能夠自發地從高溫物體傳遞到低溫物體，但不能自發地從低溫物體傳遞到高溫物體 | D、當分子間的距離增大時，分子之間的引力和斥力均同時減小，而分子勢能一定增大 | E、生產半導體器件時，需要在純凈的半導體材料中摻人其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴散來完成． |
查看答案和解析>>
湖北省互聯網違法和不良信息舉報平臺 | 網上有害信息舉報專區 | 電信詐騙舉報專區 | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區 | 涉企侵權舉報專區
違法和不良信息舉報電話：027-86699610 舉報郵箱：58377363@163.com
