如圖所示，在寬為
0.6 m的豎直放置的平面鏡MN旁站立一個人A，A與鏡邊緣M的連線跟鏡面成37°角．另一個人B沿鏡中垂線方向走向鏡面，當A、B恰能在鏡中互相看到時，B距鏡面的距離是
A．0.42 m
B．0.33 m
C．0.225 m
D．0.20 m
科目：高中物理 來源： 題型：
霍爾效應廣泛應用于半導體材料的測試和研究中，例如應用霍爾效應測試半導體是電子型還是空穴型，研究半導體內載流子濃度的變化等．在霍爾效應實驗中，如圖所示，ab寬為1cm，ad長為4cm，ae厚為1.0×10-3cm的導體，沿ad方向通有3A的電流，當磁感應強度B=1.5T的勻強磁場垂直向里穿過abcd平面時，產生了1.0×10-5V的霍爾電壓，（已知導體內定向移動的自由電荷是電子），則下列說法正確的是（ ）A、在導體的前表面聚集自由電子，電子定向移動的速率v=
| ||
B、在導體的上表面聚集自由電子，電子定向移動的速率v=
| ||
| C、在其它條件不變的情況下，增大ad的長度，可增大霍爾電壓 | ||
| D、每立方米的自由電子數為n=2.8×1029個 |
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科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，在寬為0.5m的平行導軌上垂直導軌放置一個有效電阻為r=0.6Ω的導體棒，在導軌的兩端分別連接兩個電阻R1=4Ω、R2=6Ω，其他電阻不計．整個裝置處在垂直導軌向里的勻強磁場中，如圖所示，磁感應強度 B=0.1T．當直導 體棒在導軌上以v=6m/s的速度向右運動時，求：直導體棒兩端的電壓和流過電阻R1和R2的電流大小．查看答案和解析>>
科目：高中物理 來源： 題型：
的正離子從左側射入場區，方向平行于電場方向而垂直于磁場方向。此離子射出場區時動能增量可能為 (不計重力) 
(E+B)d B．(E―B)d
Ed D．0
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科目：高中物理 來源： 題型：
如圖所示，在寬為d的（虛線）范圍內，有方向向右的勻強磁場，場強為E；還有方向垂直紙面向里，磁感應度為B的勻強磁場。一帶電量為q的正離子從左側射入場區，方向平行于電場方向而垂直于磁場方向。此離子射出場區時動能增量可能為（不計重力）
A. q(E+B)d B. q(E－B)d C. QEd D. 0
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