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C．電荷量為1.6×10-19C的正點(diǎn)電荷從E點(diǎn)移到F點(diǎn).電荷克服電場(chǎng)力做功為 1.6×10-19J 【查看更多】

如圖，A、B、C、D、E、F為勻強(qiáng)電場(chǎng)中一個(gè)邊長(zhǎng)為10cm的正六邊形的六個(gè)頂點(diǎn)，A、B、C三點(diǎn)電勢(shì)分別為1.0V、2.0V、3.0V，則下列說(shuō)法正確的是                  （    ）
       A．勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小為10V/m
       B．勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小為V/m
       C．電荷量為1.6×10^－¹⁹C的正點(diǎn)電荷從E點(diǎn)移到F點(diǎn)，電荷克服電場(chǎng)力做功為
       1.6×10^－19J
       D．電荷量為1.6×10^－¹⁹C的負(fù)點(diǎn)電荷從F點(diǎn)移到D點(diǎn)，電荷的電勢(shì)能減少4.8×10^－19J

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如圖所示，A、B、C、D、E、F為勻強(qiáng)電場(chǎng)中一個(gè)邊長(zhǎng)為10cm的正六邊形的六個(gè)頂點(diǎn)，A、B、C三點(diǎn)電勢(shì)分別為1.0V、2.0V、3.0V，則下列說(shuō)法正確的是：（）

A．勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小為10V/m

B．勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小為11.5V/m

C．電荷量為1.6×10^－19C的正點(diǎn)電荷從E點(diǎn)移到F點(diǎn)，電荷克服電場(chǎng)力做功為1.6×10^－19J

D．電荷量為1.6×10^－19C的負(fù)點(diǎn)電荷從F點(diǎn)移到D點(diǎn)，電荷的電勢(shì)能減少4.8×10^－19J

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在坐標(biāo)系xOy中，有三個(gè)靠在一起的等大的圓形區(qū)域，分別存在著方向如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小都為B＝0.10T，磁場(chǎng)區(qū)域半徑r＝m，三個(gè)圓心A、B、C構(gòu)成一個(gè)等邊三角形，B、C點(diǎn)都在x軸上，且y軸與圓形區(qū)域C相切，圓形區(qū)域A內(nèi)磁場(chǎng)垂直紙面向里，圓形區(qū)域B、C內(nèi)磁場(chǎng)垂直紙面向外．在直角坐標(biāo)系的第Ⅰ、Ⅳ象限內(nèi)分布著場(chǎng)強(qiáng)E＝1.0×10⁵N/C的豎直方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，現(xiàn)有質(zhì)量m＝3.2×10^－26kg，帶電荷量q＝－1.6×10^－19C的某種負(fù)離子，從圓形磁場(chǎng)區(qū)域A的左側(cè)邊緣以水平速度v＝10⁶m/s沿正對(duì)圓心A的方向垂直磁場(chǎng)射入，求：

(1)該離子通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域所用的時(shí)間．

(2)離子離開磁場(chǎng)區(qū)域的出射點(diǎn)偏離最初入射方向的側(cè)移為多大？(側(cè)移指垂直初速度方向上移動(dòng)的距離)

(3)若在勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域內(nèi)豎直放置一擋板MN，欲使離子打到擋板MN上的偏離最初入射方向的側(cè)移為零，則擋板MN應(yīng)放在何處？勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向如何？

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(11分)(2009·北京模擬)在坐標(biāo)系xOy中，有三個(gè)靠在一起的等大的圓形區(qū)域，分別存在著方向如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小都為B＝0.10T，磁場(chǎng)區(qū)域半徑r＝m，三個(gè)圓心A、B、C構(gòu)成一個(gè)等邊三角形，B、C點(diǎn)都在x軸上，且y軸與圓形區(qū)域C相切，圓形區(qū)域A內(nèi)磁場(chǎng)垂直紙面向里，圓形區(qū)域B、C內(nèi)磁場(chǎng)垂直紙面向外．在直角坐標(biāo)系的第Ⅰ、Ⅳ象限內(nèi)分布著場(chǎng)強(qiáng)E＝1.0×105N/C的豎直方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，現(xiàn)有質(zhì)量m＝3.2×10－26kg，帶電荷量q＝－1.6×10－19C的某種負(fù)離子，從圓形磁場(chǎng)區(qū)域A的左側(cè)邊緣以水平速度v＝106m/s沿正對(duì)圓心A的方向垂直磁場(chǎng)射入，求：

(1)該離子通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域所用的時(shí)間．

(2)離子離開磁場(chǎng)區(qū)域的出射點(diǎn)偏離最初入射方向的側(cè)移為多大？(側(cè)移指垂直初速度方向上移動(dòng)的距離)

(3)若在勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域內(nèi)豎直放置一擋板MN，欲使離子打到擋板MN上的偏離最初入射方向的側(cè)移為零，則擋板MN應(yīng)放在何處？勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向如何？

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(11分)(2009·北京模擬)在坐標(biāo)系xOy中，有三個(gè)靠在一起的等大的圓形區(qū)域，分別存在著方向如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小都為B＝0.10T，磁場(chǎng)區(qū)域半徑r＝m，三個(gè)圓心A、B、C構(gòu)成一個(gè)等邊三角形，B、C點(diǎn)都在x軸上，且y軸與圓形區(qū)域C相切，圓形區(qū)域A內(nèi)磁場(chǎng)垂直紙面向里，圓形區(qū)域B、C內(nèi)磁場(chǎng)垂直紙面向外．在直角坐標(biāo)系的第Ⅰ、Ⅳ象限內(nèi)分布著場(chǎng)強(qiáng)E＝1.0×105N/C的豎直方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，現(xiàn)有質(zhì)量m＝3.2×10－26kg，帶電荷量q＝－1.6×10－19C的某種負(fù)離子，從圓形磁場(chǎng)區(qū)域A的左側(cè)邊緣以水平速度v＝106m/s沿正對(duì)圓心A的方向垂直磁場(chǎng)射入，求：

(1)該離子通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域所用的時(shí)間．

(2)離子離開磁場(chǎng)區(qū)域的出射點(diǎn)偏離最初入射方向的側(cè)移為多大？(側(cè)移指垂直初速度方向上移動(dòng)的距離)

(3)若在勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域內(nèi)豎直放置一擋板MN，欲使離子打到擋板MN上的偏離最初入射方向的側(cè)移為零，則擋板MN應(yīng)放在何處？勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向如何？

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一、選擇題

14

15

16

17

18

19

20

21

D

C

ABC

B

BD

CD

B

二、非選擇題：

22. （共17分，）

（1）、（5分） ① χ ② 1.0

（2）、（12分） ① R₁ 1.45――1.47 1.70――1.83

②連線如圖

③ = >

23、解析：（1）電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，只受洛倫茲力作用，故其軌跡是圓弧一部分，又因?yàn)閒⊥v，故圓心在電子穿入和穿出磁場(chǎng)時(shí)受到洛倫茲力指向交點(diǎn)上，如圖中的O點(diǎn)，由幾何知識(shí)知，AB間圓心角θ=30⁰，OB為半徑．所以r=d/sin30⁰=2d．

又由r=得m＝2dBe／v．