題目列表(包括答案和解析)
某研究小組用如圖所示裝置進(jìn)行銅與濃硫酸反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究。
（1）寫出試管B中的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象 。
（2）寫出A中反應(yīng)的化學(xué)方程式： 。
（3）充分反應(yīng)后，若A試管中有銅片剩余，繼續(xù)向A中加入
NaNO3，發(fā)現(xiàn)銅片溶解，反應(yīng)的離子方程式
為 。
（4）充分反應(yīng)后，若A試管中無銅片剩余，
但出現(xiàn)白色混濁，該白色固體是 ，
初步確認(rèn)該白色固體是什么物質(zhì)的實(shí)驗(yàn)操作方法
是 。
（5）B試管口的棉花應(yīng)沾有的試劑是 。
（6）小組成員向（4）反應(yīng)后的溶液中加入足量的氧化銅。使剩余的硫酸全部轉(zhuǎn)化為硫酸銅，過濾后，將濾液加熱濃縮，冷卻后結(jié)晶制得硫酸銅晶體（CuSO4·xH2O）。小組成員采用加熱法測定該晶體里結(jié)晶水x的值
①在他們的實(shí)驗(yàn)操作中，至少稱量四次，最后兩次稱量的目的是
②下面是其中一次實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)：
| 坩堝質(zhì)量 | 坩堝與晶體的總質(zhì)量 | 加熱后坩堝與固體總質(zhì)量 |
| 11.0g | 37.8g | 27.0g |
根據(jù)上表數(shù)據(jù)計算判斷x的實(shí)測值比理論值（x＝5） （填“偏大”、“偏小”）。
某研究小組用如圖所示裝置進(jìn)行銅與濃硫酸反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究。
（1）寫出試管B中的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象____________________________________。
（2）寫出A中反應(yīng)的化學(xué)方程式：___________________________。
（3）充分反應(yīng)后，若A試管中有銅片剩余，繼續(xù)向A中加入H2O2，發(fā)現(xiàn)銅片溶解，反應(yīng)的離子方程式為__________。
（4）充分反應(yīng)后，若A試管中無銅片剩余，但出現(xiàn)白色混濁，該白色固體是________，初步確認(rèn)該白色固體是什么物質(zhì)的實(shí)驗(yàn)操作方法是__________________。
（5）B試管口的棉花應(yīng)沾有的試劑是____________________________________。
（6）小組成員向（3）反應(yīng)后的溶液中加入足量的氧化銅。使剩余的硫酸全部轉(zhuǎn)化為硫酸銅，過濾后，將濾液加熱濃縮，冷卻后結(jié)晶制得硫酸銅晶體（CuSO4?xH2O）。小組成員采用加熱法測定該晶體里結(jié)晶水x的值
①在他們的實(shí)驗(yàn)操作中，至少稱量四次，最后兩次稱量的目的是
②下面是其中一次實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)：
| 坩堝質(zhì)量 | 坩堝與晶體的總質(zhì)量 | 加熱后坩堝與固體總質(zhì)量 |
| 11.0g | 37.8g | 27.0g |
根據(jù)上表數(shù)據(jù)計算判斷x的實(shí)測值比理論值（x＝5）____________（填“偏大”、“偏小”），這次實(shí)驗(yàn)中產(chǎn)生誤差的原因可能是__________（填序號）
A．硫酸銅晶體中含有不揮發(fā)的雜質(zhì) B．實(shí)驗(yàn)前晶體表面有濕存水
C．加熱時有晶體飛濺出去 D．加熱失水后露置在空氣中冷卻
題號
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
答案
C
B
B
D
C
D
B
A
B
D
D
題號
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
答案
B
D
C
A
B
ABD
C
AC
AD
AB
BD
23．右 ； 
； 半導(dǎo)體材料；
用電器件Z的電流隨電壓變化的規(guī)律是
，其具體的表達(dá)式為
24．解：（1）對系統(tǒng)AB： 
（2）開始時彈簧形變量為
，由平衡條件：
①
設(shè)當(dāng)A剛離開檔板時彈簧的形變量為
：由：
可得
②
故C下降的最大距離為：
③
由①～③式可解得
④
（3）由能量守恒定律可知：C下落h過程中，C重力勢能的的減少量等于B的電勢能的增量和彈簧彈性勢能的增量以及系統(tǒng)動能的增量之和
當(dāng)C的質(zhì)量為M時：
⑤
當(dāng)C的質(zhì)量為2M時，設(shè)A剛離開擋板時B的速度為V
⑥
由④～⑥式可解得A剛離開P時B的速度為：
25．（1）由牛頓第二定律可得，電荷進(jìn)入坐標(biāo)系第1秒內(nèi)在y軸正方向有
第1秒末，對于電荷應(yīng)有沿y軸正方向的速度：
電荷到達(dá)的位置為：
，
由于電荷又經(jīng)1秒后，返回x軸上某一點(diǎn)，在這1秒內(nèi)有：
聯(lián)立以上兩式，將已知值帶入求得：E2=60N/C
（2）電荷返回x軸上某點(diǎn)時，應(yīng)有
電荷沿y軸負(fù)方向的速度
電荷沿x軸正方向的速度：
電荷的合速度：
此時電荷到達(dá)的位置為：
由此可得，電荷到達(dá)x軸上（6，0）點(diǎn)后，將做勻速圓周運(yùn)動，經(jīng)一段時間后返回O點(diǎn)，
根據(jù)電荷在（6，0）點(diǎn)的速度關(guān)系及幾何關(guān)系可得：
解得繞得半徑：
又由：
代入解得勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度：
（3）設(shè)當(dāng)電場變成E2后，電荷經(jīng)時間t1，沿y軸正方向的速度為零，則有：
解得， 
此段時間內(nèi)電荷在y軸正方向發(fā)生的位移：
在x軸方向發(fā)生的位移：
此時電荷的坐標(biāo)為：
然后，電荷從（4，
）點(diǎn)將做類平拋運(yùn)動，在
s時間內(nèi)返回x軸上的（6，0）點(diǎn)。
最后作勻速圓周運(yùn)動，回到O點(diǎn)。由以上分析結(jié)合（1）（2）問的解答，畫出電荷運(yùn)動
軌跡如圖所示
26．（1）氧氣向左，二氧化碳向右 擴(kuò)散作用
（2）升高（3）曲線如圖 理由：種子吸脹萌發(fā)，呼吸作用加強(qiáng)。
呼吸作用增加，釋放CO2增加，提高光合作用速率
（4）CO2濃度過高抑制了呼吸作用等生理過程，從而影
響了光合作用產(chǎn)物的轉(zhuǎn)動，抑制了光合作用強(qiáng)度。
[或：過高濃度的CO2，使控制氣孔關(guān)閉的基因表達(dá)，導(dǎo)致氣孔關(guān)閉，二氧化碳供應(yīng)減少，光合作用速度降低]
27．解析：此題為遺傳學(xué)題目。（1）此題主要考察遺傳學(xué)兩大定律。
P： AaBB×aaBb
↓
F1：AaBB AaBb aaBB aaBb 即后代基因型有4種。
要想自交產(chǎn)生矮生黃果（aabb），找隱性基因最多的，即aaBb植株自交：
F1： aaBb
↓×
F2： 1aaBB 2aaBb 1aabb
表現(xiàn)型： 矮生紅果 矮生黃果
比例： 3 ： 1
（2）此題考察減數(shù)分裂，此題容易考慮不全而失分。
減數(shù)第一次分裂時A基因所在的同源染色體不分離，情況有兩種，一種是兩條染色體均進(jìn)入次級卵母細(xì)胞，這樣的話，經(jīng)過正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12+1=13條；另一種可能是兩天染色體均進(jìn)入第一極體，這樣，次級卵母細(xì)胞進(jìn)行正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12-1=11條。 因此，得到的雌配子對于A基因來說就有O（表示不含A基因）和AA兩種，與aa產(chǎn)生的雄配子a結(jié)合得到的后代基因型就有a（注意此處是單體而非單倍體）和AAa（此處為三體而非三倍體）兩種，對應(yīng)的株高表現(xiàn)型也就是矮生植株或正常植株。
（3）此題考察基因突變，堿基對的增添、缺失或改變，以及基因的表達(dá)過程。（詳見答案）
（4）此題綜合考察基因工程技術(shù)及實(shí)驗(yàn)設(shè)計的方法，很容易只答一個方面，即只對矮生植株進(jìn)行過量表達(dá)而忽略對正常植株A基因表達(dá)的抑制作用。對于第二種方法的思路比較簡單，可能想到的同學(xué)出錯能比較少。第③個問題比較簡單，考察基因?qū)π誀畹目刂啤?/p>
答案： （1）4 aaBb 矮生紅果：矮生黃果=3：1 （2）13或11 正常或矮生 （3）Y Y突變體的蛋白質(zhì)中氨基酸的改變比X突變體可能更多（或：X突變體的蛋白質(zhì)可能只有一個氨基酸發(fā)生改變，Y突變體的蛋白質(zhì)氨基酸序列可能從第一個氨基酸后都改變）。
（4）①答案一： b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，一是抑制正常植株A基因的表達(dá)，二是使A基因在矮生植株過量表達(dá)。 c. 測定兩個實(shí)驗(yàn)組植株的赤霉素含量和植株。
答案二： b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，抑制正常植株A基因的表達(dá)，測定其赤霉素含量和株高。
c. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù)，使A基因在矮生植株過量表達(dá)，測定其赤霉素含量和株高。
（答案二中b和c次序不做要求）
②與對照比較，正常植株在A基因表達(dá)被抑制后，赤霉素含量降低，株高降低；與對照比較，A基因在矮生植株中過量表達(dá)后，該植株赤霉素含量增加，株高增加。
③基因通過控制酶的合成來控制代謝途徑，進(jìn)而控制生物性狀。
28．
；
；
；
溶液），若產(chǎn)生白色沉淀，則沉淀沒有洗滌干凈；若無白色沉淀，則沉淀已洗滌干凈。
H2CO3+OH-；大于；
（2分） ② sp3和sp2（2分）
（2）
得： 
得：
1.4或
,由題意及光路圖得：△s=2dtan60°－2dsin30°
光在透明介質(zhì)里的路程
+E2=－0.85eV 可見n=4 