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400厘米/秒. (2)設(shè)電路中電流強(qiáng)度為I,根據(jù)磁力與重力平衡,0.1HIl=mg, 設(shè)電路中感生電動(dòng)勢(shì)為ε＇, ε＇=IR=0.04伏特. 設(shè)下落速度為v, ε＇=10-8Hlv, 評(píng)分標(biāo)準(zhǔn):全題12分.10分. (2)中:根據(jù)0.1HIl=mg,求I部分:5分;只正確列出式子,給3分. 根據(jù)ε＇=IR,求ε＇部分:2分;只正確列出式子,給1分. 根據(jù)ε＇=10-8Hlv,求v部分:3分;只正確列出式子,給2分. 單純運(yùn)算錯(cuò)誤,共扣1分.單位每錯(cuò)一個(gè),扣1分. 【查看更多】

題目列表(包括答案和解析)

（2012?上海模擬）在真空的直角坐標(biāo)系中，有兩條互相絕緣且垂直的長(zhǎng)直導(dǎo)線分別與x、y軸重合，電流方向如圖所示．已知真空中距無(wú)限長(zhǎng)通電直導(dǎo)線距離為r處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=kI/r（r≠0），k=2×10^-7Tm/A，若I₁=4.0A，I₂=3.0A．則：在xOz平面內(nèi)距原點(diǎn)r=0.1m的各點(diǎn)中x、z坐標(biāo)為

（0，±10cm）

處磁感應(yīng)強(qiáng)度最小，最小值為

1.0×10^-5

T．

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（2012?杭州模擬）如圖R₁和R₂是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體，正方形的邊長(zhǎng)之比為2：1．通過(guò)這兩導(dǎo)體的電流方向如圖所示，則這兩個(gè)導(dǎo)體電阻之比為R₁：R₂=

1：1

．你認(rèn)為這種關(guān)系對(duì)電路元件改進(jìn)的意義是

可以使元件微型化

．

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集成電路應(yīng)用廣泛、集成度越來(lái)越高，現(xiàn)在集成電路的集成度已達(dá)幾億個(gè)元件，目前科學(xué)家們正朝著集成度突破10億個(gè)元件的目標(biāo)邁進(jìn)，集成度越高，各種電子元件越微型化，如圖一是我國(guó)自行研制成功的中央處理器（CPU）芯片“龍芯”1號(hào)，如圖二中，R₁和R₂是材料相同、厚度相同、表面為正方形的導(dǎo)體，但R₂的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于R₁的尺寸，通過(guò)兩導(dǎo)體的電流方向如圖2，則這兩個(gè)導(dǎo)體的電阻R₁、R₂的關(guān)系說(shuō)法正確的是（　　）