Question

【題目】某市售照明材料LED晶片是一種發(fā)光二極管。材質(zhì)組成為：GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、GaInN(氮化鎵銦)等。請回答下列問題：

（1）砷基態(tài)原子的核外電子排布式為______________________。

（2）上述非金屬元素氫化物的沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)?/span>___________。

（3）下列說法正確的是___________

a．電負(fù)性：As<Ga b．SiC與GaAs互為等電子體 c．第一電離能：As>Se>Ga

（4）如圖所示為GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)，晶體熔點(diǎn)為1237℃。

①晶胞中砷與鎵原子間的化學(xué)鍵類型有___________。

②一個(gè)鎵原子周圍所有距離最近且相等的砷原子形成的空間構(gòu)型是___________。

③一個(gè)晶胞的組成為___________。

④已知晶胞棱長a=5.64×10-10m，則該晶胞密度為ρ=___________。

Answer 1

【答案】 1s22s22p63s23p63d104s24p3 NH3>AsH3>PH3 bc 共價(jià)鍵(或極性鍵)、配位鍵 正四面體 Ga4As4 5.37g·cm-3

【解析】(1). 砷是33號(hào)元素，基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3，故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p3；

(2). 因氨氣分子之間存在氫鍵，所以氨氣在三種氫化物中沸點(diǎn)最高，AsH3和PH3的組成和結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，氫化物的沸點(diǎn)越高，所以氫化物的沸點(diǎn)從高到低的順序?yàn)?/span>：NH3>AsH3>PH3，故答案為：NH3>AsH3>PH3；

(3). a. 同一周期的元素，隨原子序數(shù)增大，元素的電負(fù)性增大，所以電負(fù)性As＞Ga，故a錯(cuò)誤；b. SiC與GaAs中原子總數(shù)相等，價(jià)電子數(shù)相同，所以互為等電子體，故b正確；c. 同一周期的元素，隨原子序數(shù)增大，元素的第一電離能呈增大趨勢，As元素的價(jià)電子排布式為4s24p3，是一種半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，第一電離能較大，所以第一電離能：As>Se>Ga，故c正確；答案為：bc；

(4). ①. 由GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)和晶體熔點(diǎn)可知，晶胞中砷與鎵原子之間含有共價(jià)鍵，由于Ga原子最外層只有3個(gè)電子，而每個(gè)Ga原子與 4個(gè)As原子成鍵，因此其中一個(gè)鍵是配位鍵，故答案為：共價(jià)鍵(或極性鍵)、配位鍵；

②. 由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Ga原子與 4個(gè)As原子成鍵，一個(gè)Ga原子周圍所有距離最近且相等的4個(gè)As原子構(gòu)成正四面體，故答案為：正四面體；

③. Ga原子位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為4，As原子位于頂點(diǎn)和面心，個(gè)數(shù)為8×+6×=4，所以一個(gè)晶胞的組成為Ga4As4，故答案為：Ga4As4；

④. 由上述分析可知，一個(gè)晶胞的組成為Ga4As4，則該晶胞的密度為ρ==5.37g·cm-3，故答案為：5.37g·cm-3。