【題目】如圖所示，質(zhì)量為M的小車靜止在光滑的水平地面上。質(zhì)量為m的小物塊以初速度v0從小車左端滑上小車，運動過程中，物塊未滑離小車。小車與物塊間的動摩擦因數(shù)為μ，重力加速度為g. 求：
（1）最終物塊與小車達到的共同速度v大小；
（2）物塊在小車上發(fā)生相對滑動過程中，物塊受到的摩擦力的沖量I大小；
（3）物塊相對于小車向前滑動的距離L；
（4）請在同一坐標系上，畫出物塊和小車運動過程中的速度-時間（v-t）圖像.
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【題目】某物體受到一個-6N·s的沖量作用，則（ ）
A.物體的動量一定減小
B.物體的末動量一定是負值
C.物體動量增量的方向一定與規(guī)定的正方向相反
D.物體原來動量的方向一定與這個沖量的方向相反
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【題目】一簡諧橫波以8m/s的波速沿x軸正方向傳播。已知t=0時的波形如圖所示，則下列說法正確的是（ ）
A. x=0處的質(zhì)點在t=0時向y軸負方向運動
B. x=0處的質(zhì)點在t=0.25s時速度為0
C. x=0處的質(zhì)點在t=0.25s時向上振動
D. 波的周期為1s
E. 從t=0到t=1.5s時間內(nèi)，介質(zhì)質(zhì)點通過的路程為0.24m
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【題目】（1）圖中游標卡尺的讀數(shù)為________mm，螺旋測微器的讀數(shù)為__________mm
（2）探究“合外力做功和物體速度變化的關(guān)系”的實驗中，同學們提出了以下幾種猜想：①W∝
，②W∝v，③W∝v 2。他們的實驗裝置如圖甲所示，PQ為一塊傾斜放置的木板，在Q處固定一個速度傳感器（用來測量物體每次通過Q點時的速度），每次實驗，物體從不同初始位置處由靜止釋放。
同學們設(shè)計了以下表格來記錄實驗數(shù)據(jù)。其中L1、L2、L3、L4……，代表物體分別從不同初始位置處無初速釋放時初始位置到速度傳感器的距離，v 1、v 2、v 3、v 4……，表示物體每次通過Q點的速度。
他們根據(jù)實驗數(shù)據(jù)繪制了如圖乙所示的L－v圖象，并得出結(jié)論W∝v 2。他們的做法是否合適， _____________（選填“合適”或者“不合適”），應做____________圖象。
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【題目】在航天事業(yè)中要用角速度計測得航天器的自轉(zhuǎn)角速度ω，結(jié)構(gòu)如圖所示，當系統(tǒng)繞軸OO′轉(zhuǎn)動時元件A在光滑桿上發(fā)生滑動，并輸出電信號，成為航天器的制導信號源，已知A質(zhì)量為m，彈簧的勁度系數(shù)為k，原長為l0，電源電動勢為E，內(nèi)阻不計，滑動變阻器總長為l，電阻分布均勻，系統(tǒng)靜止時滑動變阻器觸頭P在中點，與固定接頭Q正對，當系統(tǒng)以角速度ω轉(zhuǎn)動時，求：
(1)彈簧形變量x與ω的關(guān)系式；
(2)電壓表示數(shù)U與角速度ω的關(guān)系式．
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【題目】在用高級瀝青鋪設(shè)的高速公路上，汽車的設(shè)計時速是108 km/h，汽車在這種路面上行駛時，它的輪胎與地面的最大靜摩擦力等于車重的0.6倍．如果汽車在這種高速公路的水平彎道上拐彎，假設(shè)彎道的路面是水平的，其彎道的最小半徑是多少？事實上在高速公路的拐彎處，路面造得外高內(nèi)低，路面與水平面間的夾角為θ，且tan θ＝0.2；而拐彎路段的圓弧半徑R＝200 m．若要使車輪與路面之間的側(cè)向摩擦力等于零，則車速v應為多少？(取g＝10 m/s2)
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【題目】如圖甲，一邊長L=2.5m、質(zhì)量m=0.5kg的正方形金屬線框，放在光滑絕緣的水平面上，整個裝置放在豎直向上、磁感應強度為B=0.8T的勻強磁場中，它的一邊與磁場的邊界MN重合，在水平力F作用下由靜止開始向左運動，經(jīng)過5s線框被拉出磁場，測得金屬線框中的電流隨時間變化的圖象如圖乙所示。在金屬線框被拉出的過程中。
（1）求通過線框截面的電荷量及線框的電阻；
（2）已知在這5s內(nèi)力F做功1.92J，那么在此過程中，線框產(chǎn)生的焦耳熱是多少？
（3）金屬線框即將離開磁場時拉力F的大小？
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【題目】如圖為一下粗上細且上端開口鼻的薄壁玻璃管，管內(nèi)有一部分水銀封住密閉氣體，圖中大小截面積分別為S1=2 cm2、S2=1 cm2，粗、細管內(nèi)水銀長度分別為h1 = h2 = 2 cm，封閉氣體長度為L=22 cm，水銀面上方管長H=30 cm。大氣壓強為P0=76 cmHg，氣體初始溫度為570C。求：
①若緩慢升高氣體溫度，升高至多高方可將所有水銀全部擠入細管內(nèi)？
②為不溢出水銀，溫度不能高于多少？
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【題目】晶體在熔解過程中吸收的熱量主要用于 ( )
A. 破壞晶體結(jié)構(gòu)，增加分子勢能
B. 破壞晶體結(jié)構(gòu)，增加分子動能
C. 破壞晶體結(jié)構(gòu)，同時增加分子勢能和增加分子動能
D. 破壞晶體結(jié)構(gòu)，既不增加分子勢能也不增加分子動能
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